금호석유화학

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Photoresist
광 및 방사선 에너지에 노출시키면 현상액에 대한 용해도 변화가 생기는 현상을 이용하여 이미지 패턴을 형성하는 재료로 매트릭스 고분자, 감광제, 첨가제, 용제로 구성되어 있는 액상재료입니다.

용도

  • 메모리 반도체
  • 비메모리 반도체

특징

  • 해상력 우수, 공정 마진 우수, 에치 저항성 우수, 선폭거칠기(LWR) 우수

제품분류EXPAND All

Photoresist(ArF)
테이블
Category Grade CD(nm) Thickness(A) SOB Temp.(℃),Time(sec) PEB Temp.(℃),Time(sec)
Photoresist(ArF) ArF Dry 55~90 1400~7500 100~115℃; 50~90sec 105~130℃; 50~80sec
ArF Immersion 35~55 800~1000 100℃; 60sec 90~115℃; 60sec
Photoresist(KrF)
테이블
Category Grade CD(um) Thickness(um) SOB Temp., Time(sec) PEB Temp., Time(sec)
Photoresist(KrF) KrF Thick 1~10 5~10 110~140℃; 50~90sec 100~130℃; 50~90sec

담당자

테이블
영역 지역 이름 TEL EMAIL
영업 이진한 02-6961-2003 mail
기술지원 임현순 041-423-3211 mail
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